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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased
PUMD10,115

PUMD10,115

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
NexperiaNexperia
Artikelnummer:
PUMD10,115
Hersteller / Marke:
Nexperia
Produktbeschreibung:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 6TSSOP
Datenblätte:
PUMD10,115.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
911177 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von PUMD10,115

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Artikelnummer PUMD10,115 Hersteller Nexperia
Beschreibung TRANS NPN/PNP PREBIAS 6TSSOP Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 911177 pcs stock Datenblatt PUMD10,115.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse 6-TSSOP
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Leistung - max 300mW
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen 1727-1154-1
568-10322-1
568-10322-1-ND
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 230MHz detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 10mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA Basisteilenummer MD10
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