Artikelnummer | PUMD10,115 | Hersteller | Nexperia |
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Beschreibung | TRANS NPN/PNP PREBIAS 6TSSOP | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 911177 pcs stock | Datenblatt | PUMD10,115.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | Supplier Device-Gehäuse | 6-TSSOP |
Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms | Leistung - max | 300mW |
Verpackung | Cut Tape (CT) | Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Andere Namen | 1727-1154-1 568-10322-1 568-10322-1-ND |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 230MHz | detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 100 @ 10mA, 5V | Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA | Basisteilenummer | MD10 |
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