Nexperia
Nexperia| Artikelnummer | PUMD17,115 | Hersteller | Nexperia |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 861247 pcs stock | Datenblatt | PUMD17,115.pdf |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | Supplier Device-Gehäuse | 6-TSSOP |
| Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms | Leistung - max | 300mW |
| Verpackung | Cut Tape (CT) | Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Andere Namen | 1727-1983-1 568-12019-1 568-12019-1-ND |
Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | - | detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 60 @ 5mA, 5V | Strom - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA | ||
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