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LRI64-SBN18/1GE

LRI64-SBN18/1GE

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STMicroelectronics

Spezifikationen von LRI64-SBN18/1GE

STMicroelectronics

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Artikelnummer	LRI64-SBN18/1GE	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	IC EEPROM MEMORY TAG WAFER	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	229525 pcs stock	Datenblatt	LRI64-SBN18/1GE.pdf
Schreibbarer Speicher	120b (User)	Technologie	Passive
Stil	Inlay	Standards	ISO 15693, ISO 18000-3
Größe / Dimension	76.00mm x 45.00mm	Serie	LRI64
Betriebstemperatur	-20°C ~ 85°C	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Speichertyp	Read/Write	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz	13.56MHz	detaillierte Beschreibung	RFID Tag Read/Write 120b (User) Memory 13.56MHz ISO 15693, ISO 18000-3 Inlay

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  (NUR FÜR integrierte Schaltkreise, Schaltkreisschutz, RF / IF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)
  
  

  FEDEX	www.FedEx.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
  DHL	www.DHL.com	Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab.
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