Artikelnummer | STP16NM50N | Hersteller | STMicroelectronics |
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Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 15A TO-220 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 45316 pcs stock | Datenblatt | STP16NM50N.pdf |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | MDmesh™ II | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 7.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 125W (Tc) | Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 | Andere Namen | 497-7510-5 STP16NM50N-ND |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 50V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 500V 15A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 15A (Tc) |
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