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BZD17C18P RQG

BZD17C18P RQG

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TSC (Taiwan Semiconductor)

Spezifikationen von BZD17C18P RQG

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Artikelnummer	BZD17C18P RQG	Hersteller	TSC (Taiwan Semiconductor)
Beschreibung	DIODE ZENER 18V 800MW SUB SMA	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	872272 pcs stock	Datenblatt	BZD17C18P RQG.pdf
Spannung - Zener (Nom) (Vz)	18V	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2V @ 200mA
Toleranz	±6.38%	Supplier Device-Gehäuse	Sub SMA
Serie	-	Leistung - max	800mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	DO-219AB
Andere Namen	BZD17C18P RQG-ND BZD17C18PRQG	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	27 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Impedanz (Max) (Zzt)	15 Ohms	detaillierte Beschreibung	Zener Diode 18V 800mW ±6.38% Surface Mount Sub SMA
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	1µA @ 13V

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