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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays

2SA1618-GR(TE85L,F

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Toshiba Semiconductor and Storage

Spezifikationen von 2SA1618-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Artikelnummer	2SA1618-GR(TE85L,F	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	TRANS 2PNP 50V 0.15A SMV	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	362676 pcs stock	Datenblatt	2SA1618-GR(TE85L,F.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA
Transistor-Typ	2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter	Supplier Device-Gehäuse	SMV
Serie	-	Leistung - max	300mW
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	SC-74A, SOT-753
Andere Namen	2SA1618-GR(TE85LF)CT 2SA1618-GR(TE85LF)CT-ND 2SA1618-GR(TE85LFCT	Betriebstemperatur	125°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	80MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SMV	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	200 @ 2mA, 6V
Strom - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Strom - Kollektor (Ic) (max)	150mA

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