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Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel

2SC2713-BL,LF

2SC2713-BL,LF

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Toshiba Semiconductor and Storage

Spezifikationen von 2SC2713-BL,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Artikelnummer	2SC2713-BL,LF	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	730860 pcs stock	Datenblatt	2SC2713-BL,LF.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	120V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Transistor-Typ	NPN	Supplier Device-Gehäuse	TO-236
Serie	-	Leistung - max	150mW
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen	2SC2713-BLLFCT 2SC2713BLTE85LFCT 2SC2713BLTE85LFCT-ND	Betriebstemperatur	125°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	100MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount TO-236	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	350 @ 2mA, 6V
Strom - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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