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CMF05(TE12L,Q,M)

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Toshiba Semiconductor and Storage

Spezifikationen von CMF05(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Artikelnummer	CMF05(TE12L,Q,M)	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	DIODE GEN PURP 1KV 500MA MFLAT	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	395154 pcs stock	Datenblatt	CMF05(TE12L,Q,M).pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	2.7V @ 500mA	Spannung - Sperr (Vr) (max)	1000V
Supplier Device-Gehäuse	M-FLAT (2.4x3.8)	Geschwindigkeit	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	100ns
Verpackung	Original-Reel®	Verpackung / Gehäuse	SOD-128
Andere Namen	CMF05(TE12LQM)DKR	Betriebstemperatur - Anschluss	-40°C ~ 125°C
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	4 (72 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	24 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp	Standard	detaillierte Beschreibung	Diode Standard 1000V 500mA Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	50µA @ 800V	Strom - Richt (Io)	500mA
Kapazität @ Vr, F	-	Basisteilenummer	CMF05

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