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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased
RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
Artikelnummer:
RN1963(TE85L,F)
Hersteller / Marke:
Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Datenblätte:
RN1963(TE85L,F).pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
730268 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von RN1963(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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Artikelnummer RN1963(TE85L,F) Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 730268 pcs stock Datenblatt RN1963(TE85L,F).pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse US6
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 22 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 22 kOhms Leistung - max 200mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen RN1963(TE85LF)TR Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 250MHz detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 70 @ 10mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
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