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RN1971FE(TE85L,F)

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Toshiba Semiconductor and Storage

Spezifikationen von RN1971FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Artikelnummer	RN1971FE(TE85L,F)	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5847 pcs stock	Datenblatt	RN1971FE(TE85L,F).pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	ES6
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	-
Widerstand - Basis (R1)	10 kOhms	Leistung - max	100mW
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	SOT-563, SOT-666
Andere Namen	RN1971FE(TE85LF)CT	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	250MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	120 @ 1mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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