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Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased
RN4982FE,LF(CB

RN4982FE,LF(CB

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
Artikelnummer:
RN4982FE,LF(CB
Hersteller / Marke:
Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Datenblätte:
RN4982FE,LF(CB.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
2190459 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von RN4982FE,LF(CB

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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Artikelnummer RN4982FE,LF(CB Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 2190459 pcs stock Datenblatt RN4982FE,LF(CB.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse ES6
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms Leistung - max 100mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666
Andere Namen RN4982FE(T5L,F,T)
RN4982FE(T5LFT)TR
RN4982FE(T5LFT)TR-ND
RN4982FE,LF(CT
RN4982FELF(CBTR
RN4982FELF(CTTR
RN4982FELF(CTTR-ND		 Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang 250MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 50 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
Ausschalten

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