Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage| Artikelnummer | SSM6N357R,LF | Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 340531 pcs stock | Datenblatt | SSM6N357R,LF.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | Supplier Device-Gehäuse | 6-TSOP-F |
| Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 150mA, 5V |
| Leistung - max | 1.5W (Ta) | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 6-SMD, Flat Leads | Andere Namen | SSM6N357R,LF(B SSM6N357RLFTR |
| Betriebstemperatur | 150°C | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 12V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 5V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) | FET-Merkmal | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V | detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 650mA (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 650mA (Ta) | ||
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