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TBAS16,LM

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Toshiba Semiconductor and Storage

Spezifikationen von TBAS16,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

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Artikelnummer	TBAS16,LM	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3646629 pcs stock	Datenblatt	TBAS16,LM.pdf
Spannung - Sperr (Vr) (max)	80V	Supplier Device-Gehäuse	SOT-23-3
Geschwindigkeit	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Serie	-
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	SOT-23-3 Flat Leads
Andere Namen	TBAS16,LM(B TBAS16,LM(T TBAS16LMTR	Betriebstemperatur - Anschluss	-
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit	12 Weeks	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp	Standard	detaillierte Beschreibung	Diode Standard 80V 215mA Surface Mount SOT-23-3
Strom - Richt (Io)	215mA	Kapazität @ Vr, F	-

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