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TPCA8010-H(TE12L,Q

TPCA8010-H(TE12L,Q

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
Artikelnummer:
TPCA8010-H(TE12L,Q
Hersteller / Marke:
Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung:
MOSFET N-CH 200V 5.5A 8-SOPA
Datenblätte:
1.TPCA8010-H(TE12L,Q.pdf2.TPCA8010-H(TE12L,Q.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
4697 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von TPCA8010-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
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Artikelnummer TPCA8010-H(TE12L,Q Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 5.5A 8-SOPA Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 4697 pcs stock Datenblatt 1.TPCA8010-H(TE12L,Q.pdf2.TPCA8010-H(TE12L,Q.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SOP Advance (5x5)
Serie π-MOSV Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 2.7A, 10V
Verlustleistung (max) 1.6W (Ta), 45W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN Andere Namen TPCA8010HTE12LQTR
Betriebstemperatur 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
detaillierte Beschreibung N-Channel 200V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Ta)
Ausschalten

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