Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage| Artikelnummer | TPCC8A01-H(TE12LQM | Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 4218 pcs stock | Datenblatt | 1.TPCC8A01-H(TE12LQM.pdf2.TPCC8A01-H(TE12LQM.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Serie | U-MOSV-H | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.9 mOhm @ 10.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 700mW (Ta), 30W (Tc) | Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN | Andere Namen | TPCC8A01-H(TE12LQMTR |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 10V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 30V 21A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 21A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab. |
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