AMI Semiconductor / ON Semiconductor
AMI Semiconductor / ON Semiconductor| Artikelnummer | FQA5N90_F109 | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 5452 pcs stock | Datenblatt | FQA5N90_F109.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-3PN |
| Serie | QFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 Ohm @ 2.9A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 185W (Tc) | Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 900V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 900V 5.8A (Tc) 185W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.8A (Tc) | ||
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