AMI Semiconductor / ON Semiconductor
AMI Semiconductor / ON Semiconductor| Artikelnummer | FQA6N70 | Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 700V 6.4A TO-3P | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 5165 pcs stock | Datenblatt | FQA6N70.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-3P |
| Serie | QFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 3.2A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 152W (Tc) | Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 | Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V | Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - | Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 700V | detaillierte Beschreibung | N-Channel 700V 6.4A (Tc) 152W (Tc) Through Hole TO-3P |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.4A (Tc) | ||
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