| Artikelnummer | PDTD123ES,126 | Hersteller | NXP Semiconductors / Freescale |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 4973 pcs stock | Datenblatt | |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased | Supplier Device-Gehäuse | TO-92-3 |
| Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms | Leistung - max | 500mW |
| Verpackung | Tape & Box (TB) | Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Andere Namen | 934059143126 PDTD123ES AMO PDTD123ES AMO-ND |
Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 | DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 40 @ 50mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |
| Basisteilenummer | PDTD123 | ||
| FEDEX | www.FedEx.com | Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab. |
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