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Diskrete Halbleiter-Produkte
Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased
PDTD123EUF

PDTD123EUF

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
NexperiaNexperia
Artikelnummer:
PDTD123EUF
Hersteller / Marke:
Nexperia
Produktbeschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 0.425W
Datenblätte:
PDTD123EUF.pdf
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
1179363 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von PDTD123EUF

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Artikelnummer PDTD123EUF Hersteller Nexperia
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 0.425W Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 1179363 pcs stock Datenblatt PDTD123EUF.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse SOT-323-3
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Leistung - max 300mW
Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323
Andere Namen 934068332135 Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 225MHz detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 225MHz 300mW Surface Mount SOT-323-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 40 @ 50mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 500mA  
Ausschalten

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