Artikelnummer | PDTD123YS,126 | Hersteller | NXP Semiconductors / Freescale |
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Beschreibung | TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 5061 pcs stock | Datenblatt | |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased | Supplier Device-Gehäuse | TO-92-3 |
Serie | - | Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms | Leistung - max | 500mW |
Verpackung | Tape & Box (TB) | Verpackung / Gehäuse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Andere Namen | 934059147126 PDTD123YS AMO PDTD123YS AMO-ND |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3 | DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 70 @ 50mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |
Basisteilenummer | PDTD123 |
FEDEX | www.FedEx.com | Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab. |
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DHL | www.DHL.com | Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab. |
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TNT | www.TNT.com | Ab 35,00 USD hängt die Grundversandgebühr von Zone und Land ab. |