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Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased
PDTD123YT,215

PDTD123YT,215

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Produktdetails siehe Spezifikationen.
NexperiaNexperia
Artikelnummer:
PDTD123YT,215
Hersteller / Marke:
Nexperia
Produktbeschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
Datenblätte:
RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers:
890368 pcs stock
Liefern von:
Hong Kong
Versandweg:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von PDTD123YT,215

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Artikelnummer PDTD123YT,215 Hersteller Nexperia
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 890368 pcs stock Datenblatt
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse TO-236AB (SOT23)
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms Leistung - max 250mW
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen 1727-5142-1
568-6441-1
568-6441-1-ND
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 70 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA Strom - Kollektor (Ic) (max) 500mA
Basisteilenummer PDTD123  
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